? FET è l'abbreviazione di Field Effect Transistor , un tipo di dispositivo elettronico che controlla il flusso di corrente elettrica attraverso un circuito . Il tipo più semplice di FET è un resistore controllato in tensione , in cui l'elemento resistivo è una barra di silicio . Il FET termine latch -up riferisce ad una distruttiva stato , ad alta corrente che può essere attivato da certe condizioni elettriche che agiscono sui componenti del FET . FET latch - up impedisce di solito il controllo del circuito normale . Semiconductor

FET è composto da due tipi di cristallo semiconduttore - materiali che conducono l'elettricità , ma molto male - conosciuto come n - type e p - tipo di materiali . Due terminali , o elettrodi , noto come il drain e source , sono collegati al materiale di tipo n , mentre un terzo terminale , noto come il cancello , è collegato al materiale di tipo p . La corrente che scorre tra la sorgente e il pozzo è controllata da un campo elettrico creato da una tensione applicata tra la sorgente e il cancello .
Causa

FET latch - up si verifica quando quattro alternata di tipo n e regioni di tipo P sono presenti ravvicinati , tali da formare efficacemente due transistori bipolari - transistori che utilizzano portatori di carica positivi e negativi - noti come NPN o PNP . La corrente elettrica applicata alla base del primo transistore è amplificato e passato al secondo transistore . Se la corrente di uscita di entrambi i transistori è maggiore della corrente di ingresso - o in altre parole , la corrente " guadagno " è maggiore di 1 - la corrente attraverso entrambi aumenta

Effetti

FET latch -up porta ad eccessiva dissipazione di potenza e logica difettosa alla porta interessata , o cancelli. Eccessiva dissipazione di potenza genera calore eccessivo , che può distruggere il FET tutto in estremi casi. FET latch - up è quindi estremamente indesiderabile e la sua prevenzione è diventata una questione di design importante , soprattutto nei transistor moderni . Transistor moderni hanno ridotto a dimensioni più piccolo di 59 micro pollici , o 59 milionesimi di pollice , nel tentativo di aumentare la densità del circuito e migliorare le prestazioni complessive .
Prevenzione

un FET è ciò che è noto come un dispositivo trasportatore maggioranza . In altre parole, la corrente viene condotta dalle specie portatrici di maggioranza - sia particelle cariche negativamente , chiamate elettroni , o supporti caricati positivamente , chiamati buche - a seconda del disegno preciso del FET . FET latch - up può essere evitato separando i materiali di tipo N e di tipo P con la struttura FET . La separazione è spesso raggiunto incidendo una profonda e stretta trincea riempita con materiale isolante tra i materiali di tipo N e tipo-p .