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I vantaggi di MOSFET Oltre BJT
MOSFET e BJT sono entrambi i tipi di transistor . Un transistor è un componente elettronico con tre terminali che possono essere utilizzati come un interruttore controllato elettronicamente o come un amplificatore di tensione . MOSFET acronimo di Metal Oxide Semiconductor Transistor a effetto di campo . BJT significa Bipolar Junction Transistor . Entrambi i MOSFET e BJT sono ampiamente utilizzati in elettronica e ingegneria informatica . Impedenza di ingresso

MOSFET hanno impedenza di ingresso superiore a BJT . L'impedenza di ingresso è una misura della resistenza del terminale di ingresso del transistore di corrente elettrica . Nel progettare amplificatori di tensione è auspicabile che la resistenza di ingresso sia il più alto possibile . Pertanto MOSFET sono più ampiamente utilizzati nella fase di ingresso degli amplificatori di tensione .
Dimensione

MOSFET possono essere fatte molto più piccolo di BJT . Molte altre MOSFET possono essere collocati in una zona più piccola di BJT . Per questo motivo MOSFET costituiscono la maggior parte dei transistor utilizzati nei microchip e processori per computer . MOSFET sono anche più facili da produrre rispetto BJT perché prendono meno passaggi da fare.
Rumore

MOSFET sono meno rumorosi di BJT . In un contesto rumore elettronica riferisce all'interferenza casuale in un segnale. Quando un transistor è utilizzato per amplificare un segnale processi interni del transistore introdurrà alcuni di questa interferenza casuale . BJT generalmente introdurre più rumore nel segnale di MOSFET . Questo significa MOSFET sono più adatti per applicazioni di elaborazione del segnale o per gli amplificatori di tensione .
Termica Runaway

BJT soffrono di una proprietà conosciuta come " fuga termica ". Instabilità termica avviene perché la conducibilità di un BJT aumenta con la temperatura . Poiché transistor tendono a riscaldarsi in proporzione alla corrente che li attraversa questo significa che la conduttività e la temperatura del BJT possono aumentare in modo esponenziale . Questo può danneggiare il BJT e rende circuiti di progettazione per BJT più difficili . MOSFET non soffrono di instabilità termica .