Identificazione disallineamento - o disallineamento delle cellule - in attacco anisotropo richiede un metodo di calcolo chiamato " compensazione del tempo . " Questo può essere visto quando si sta risolvendo un algoritmo utilizzato quando si simula il processo di incisione del silicio in un EDP ​​, KOH o una soluzione TMAH . Quando viene utilizzato il metodo automi cellulari ( CA ) per la simulazione incisione , il substrato è rappresentato da singole cellule che sono contenuti all'interno di una struttura a reticolo cristallino . Istruzioni
1

Scrivi l'equazione per determinare il numero di passi etch . Questo è espresso come N ( t ) = [ M /E ( s ) T ] t . Un valore predefinito 1 viene utilizzato per T. Il valore di M è un multiplo di E ( s ) T. Il valore di E ( s ) è [ 0,1 ] .
2

Scrivere l'equazione per determinare il tasso di etch equivalente del materiale di superficie . Questo viene espresso come : .

E ( s ) = M /N ( t ) T = M /( M /E ( s) T) T = E ( s )

Se M non è un multiplo di E ( s ) T , quindi una discrepanza si verifica perché l' incisione della cella successiva non inizia immediatamente.
3

Prendere nota per " k ", che è usato per identificare un passo etch . Il prossimo passo etch del processo è etichettato come k + 1 . Notare il saldo momento per un passo etch come Tb ( k) .
4

Scrivi l'equazione utilizzata per calcolare la compensazione del tempo . Questa equazione è espressa come :

M ( k ) > E ( s ) ( T + Tb ( k- 1 )

poi

T ( k) = T + Tb ( k- 1 )

M ( k +1 ) = M ( k) - E ( s ) T ( k )

Tb ( k) = 0

altro

T ( k) = M ( k) /E ( s )

M ( k +1) = 0

Tb ( k) = T - T ( k)

Il risultato finale dei risultati metodo di compensazione tempo in un'equazione che si esprime come :

E ( s ) = M ( k) /T ( k) = E ( s ) per un passo k etch