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Tecniche MOSFET IV di misura
Il transistor a effetto di campo metallo ossido semiconduttore ( MOSFET) è in vigore dal 1960 . Il suo utilizzo è molto popolare nel settore dei semiconduttori , perché si presta ad essere compattato con altri MOSFET più facilmente di altri transistor . Confezionato singolarmente , MOSFET sono utili per creare amplificatori a bassa potenza . Questi transistori assumono una varietà di dimensioni , così le caratteristiche IV cambiano tra disegni , e ci sono alcuni metodi comuni già utilizzati per misurare queste curve . Prototipazione tagliere

Dato che i singoli MOSFET sono prodotti in massa ci sarà probabilmente differenze tra ognuno per quanto riguarda le caratteristiche IV . Per alcuni progetti di circuiti , le variazioni possono essere evidente tra le caratteristiche teoriche e osservate prestazioni. Per testare ogni transistor prima di utilizzarlo , lo scarico è collegato all'alimentazione e la fonte in collegata a terra . La tensione di gate -source è impostato a valori discreti , mentre la tensione di drain viene variata . Misurazione della corrente con ogni variazione produce i dati per costruire una famiglia di curve visto con molti fogli di dati per MOSFET .
Transistor Tester

causa del costo proibitivo , l' tipico hobbista non utilizzare un tester transistor con un display grafico per determinare le caratteristiche IV di un MOSFET . Questo è un pezzo di materiale più comunemente visto in ambienti di ricerca e di sperimentazione . Con cavi di collegamento alla fonte , cancello , e scarico, il tester transistor visualizza una famiglia di curve di misura IV ad intervalli adeguati . A seconda del modello , i dati ottenuti possono essere registrati su un disco per il successivo recupero o trasferimento in un computer.
Probe Test e

Dopo un lotto di MOSFET sono testati , il gruppo sonda e test a semiconduttore dispositivo di impianto di produzione di test di ogni transistor per verificare se funziona . Sonde si agganciano la sorgente , cancello e drain di ciascun MOSFET . Le caratteristiche IV possono essere apprese in merito a ciascuno di essi . Solo i transistor che lavorano su un wafer finito saranno tagliati fuori e confezionati . Poiché l'obiettivo di questo test è massimizzare il rendimento , ogni transistor è testato per essere sicuri che ognuno è all'interno di specifiche di progetto.
Design Software

Molto simile alla progettazione di edifici e varie macchine , software speciale viene utilizzato per progettare MOSFET . Oltre alla capacità di stendere gli strati necessari maschera per i processi di fabbricazione , questo software è in grado di fornire misurazioni teoriche IV . Questi risultati sono basate su molti fattori che sono stati scoperti attraverso ricerche approfondite su MOSFET . Questi fattori includono capacità parassite e impedenze interne . Con tutte queste informazioni disponibili , le caratteristiche IV di un MOSFET possono essere determinati prima che sia fabbricato .